Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

STH260N6F6-2

STH260N6F6-2
Увеличить

Только для справки

номер части STH260N6F6-2
LIXINC Part # STH260N6F6-2
Производитель STMicroelectronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD STH260N6F6-2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STH260N6F6-2 Технические характеристики

номер части:STH260N6F6-2
Бренд:STMicroelectronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:STMicroelectronics
ряд:DeepGATE™, STripFET™ VI
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:183 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:11800 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:H2Pak-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STH260N6F6-2 Документы

if STH260N6F6-2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STD18N65M5 STD18N65M5 MOSFET N-CH 650V 15A DPAK 847

Подробнее о заказе
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263 869

Подробнее о заказе
FDR840P FDR840P MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8 295186

Подробнее о заказе
DMTH10H010LCTB-13 DMTH10H010LCTB-13 MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB 1752

Подробнее о заказе
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 901

Подробнее о заказе
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON 33870

Подробнее о заказе
NTD20N03L27-1G NTD20N03L27-1G MOSFET N-CH 30V 20A IPAK 24420

Подробнее о заказе
FDD8647L FDD8647L MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK 20085

Подробнее о заказе
SPD08N05L SPD08N05L N-CHANNEL POWER MOSFET 978

Подробнее о заказе
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO220 1043

Подробнее о заказе
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB 1904

Подробнее о заказе
PSMN8R5-108ES PSMN8R5-108ES N-CHANNEL POWER MOSFET 1436

Подробнее о заказе
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 1956

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11597 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$7.00000$7
1000$3.39083$3390.83
2000$3.22128$6442.56

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top