Только для справки
| номер части | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| LIXINC Part # | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IMBG120R045M1HXTMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolSiC™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 1.2 kV |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 47A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 63mOhm @ 16A, 18V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5.7V @ 7.5mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 46 nC @ 18 V |
| ВГС (макс.): | +18V, -15V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.527 nF @ 800 V |
| Фет-функция: | Standard |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 227W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-7-12 |
| упаковка / чехол: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| FDR840P | MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8 | 295258 Подробнее о заказе |
|
| DMTH10H010LCTB-13 | MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB | 1651 Подробнее о заказе |
|
| IPB100N12S305ATMA1 | MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 | 842 Подробнее о заказе |
|
| BSC120N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON | 33849 Подробнее о заказе |
|
| NTD20N03L27-1G | MOSFET N-CH 30V 20A IPAK | 24571 Подробнее о заказе |
|
| FDD8647L | MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK | 20139 Подробнее о заказе |
|
| SPD08N05L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 935 Подробнее о заказе |
|
| IPAW60R280P7SXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 1034 Подробнее о заказе |
|
| IRFB20N50KPBF | MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB | 1925 Подробнее о заказе |
|
| PSMN8R5-108ES | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1457 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R125CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 | 1932 Подробнее о заказе |
|
| NTE2392 | MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3 | 1737 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ243-T1-A | MOSFET P-CH 30V 100MA SC75-3 USM | 2429 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10866 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $23.78000 | $23.78 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.