IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IMBG120R045M1HXTMA1
LIXINC Part # IMBG120R045M1HXTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IMBG120R045M1HXTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IMBG120R045M1HXTMA1 Технические характеристики

номер части:IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolSiC™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):1.2 kV
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:47A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:63mOhm @ 16A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:5.7V @ 7.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 18 V
ВГС (макс.):+18V, -15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.527 nF @ 800 V
Фет-функция:Standard
рассеиваемая мощность (макс.):227W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-12
упаковка / чехол:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDR840P FDR840P MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8 295258

Подробнее о заказе

DMTH10H010LCTB-13 DMTH10H010LCTB-13 MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB 1651

Подробнее о заказе

IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 842

Подробнее о заказе

BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON 33849

Подробнее о заказе

NTD20N03L27-1G NTD20N03L27-1G MOSFET N-CH 30V 20A IPAK 24571

Подробнее о заказе

FDD8647L FDD8647L MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK 20139

Подробнее о заказе

SPD08N05L SPD08N05L N-CHANNEL POWER MOSFET 935

Подробнее о заказе

IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO220 1034

Подробнее о заказе

IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB 1925

Подробнее о заказе

PSMN8R5-108ES PSMN8R5-108ES N-CHANNEL POWER MOSFET 1457

Подробнее о заказе

IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 1932

Подробнее о заказе

NTE2392 NTE2392 MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3 1737

Подробнее о заказе

2SJ243-T1-A 2SJ243-T1-A MOSFET P-CH 30V 100MA SC75-3 USM 2429

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10866 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$23.78000$23.78

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top