SCTW35N65G2V | STMicroelectronics SCTW35N65G2V | SCTW35N65G2V Inventory, Best Pricing

SCTW35N65G2V

Увеличить

Только для справки

номер части	SCTW35N65G2V
LIXINC Part #	SCTW35N65G2V
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SCTW35N65G2V След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SCTW35N65G2V Технические характеристики

номер части:	SCTW35N65G2V
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	45A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	18V, 20V
rds on (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 20 V
ВГС (макс.):	+22V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	240W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 200°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	HiP247™
упаковка / чехол:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$13.98000	$13.98

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015