SIR862DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIR862DP-T1-GE3 | SIR862DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIR862DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIR862DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIR862DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIR862DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIR862DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIR862DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3800 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	5.2W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

FQPF5N50CYDTU	MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3	7384879 Подробнее о заказе
UF3C065080K4S	MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4	1538 Подробнее о заказе
APT19F100J	MOSFET N-CH 1000V 20A ISOTOP	928 Подробнее о заказе
IRF540STRLPBF	MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK	1276 Подробнее о заказе
STF2NK60Z	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220FP	894 Подробнее о заказе
RM2A8N60S4	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-3	845 Подробнее о заказе
TSM150P04LCS RLG	MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP	10415 Подробнее о заказе
RM90N30LD	MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252-2	1000819 Подробнее о заказе
IRF2804SPBF-IR	HEXFET POWER MOSFET	813 Подробнее о заказе
IPA65R1K0CEXKSA1	MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220	1490 Подробнее о заказе
BUK956R1-100E,127	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB	1856 Подробнее о заказе
BSD816SNL6327	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	14648 Подробнее о заказе
IPAN65R650CEXKSA1	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220	820 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015