Только для справки
| номер части | IPA65R1K0CEXKSA1 |
| LIXINC Part # | IPA65R1K0CEXKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPA65R1K0CEXKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPA65R1K0CEXKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 7.2A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 200µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15.3 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 328 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 68W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220 Full Pack |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
| BUK956R1-100E,127 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 1897 Подробнее о заказе |
|
| BSD816SNL6327 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 14774 Подробнее о заказе |
|
| IPAN65R650CEXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 | 913 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3801 | MOSFET N-CH 40V 70A TO3P | 812 Подробнее о заказе |
|
| AOTF22N50L | MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3F | 942 Подробнее о заказе |
|
| SQ2361AEES-T1_GE3 | MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 | 940 Подробнее о заказе |
|
| RV2C002UNT2L | MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 | 849 Подробнее о заказе |
|
| NTD3813N-1G | MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK | 12040 Подробнее о заказе |
|
| NVMYS3D5N04CTWG | MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4 | 925 Подробнее о заказе |
|
| DN3545N3-G | MOSFET N-CH 450V 136MA TO92 | 3919 Подробнее о заказе |
|
| RD3L080SNTL1 | MOSFET N-CH 60V 8A TO252 | 3515 Подробнее о заказе |
|
| BSZ0902NSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON | 12369 Подробнее о заказе |
|
| NTE2398 | MOSFET N-CHANNEL 500V 4.5A TO220 | 1122 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11349 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.05000 | $1.05 |
| 10 | $0.94134 | $9.4134 |
| 100 | $0.75501 | $75.501 |
| 500 | $0.59663 | $298.315 |
| 1000 | $0.48150 | $481.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.