SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF
Увеличить

Только для справки

номер части SSM3J325F,LF
LIXINC Part # SSM3J325F,LF
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SSM3J325F,LF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SSM3J325F,LF Технические характеристики

номер части:SSM3J325F,LF
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSVI
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:150mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:4.6 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:270 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):600mW (Ta)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:S-Mini
упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB 1876

Подробнее о заказе

BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON 3692

Подробнее о заказе

AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7P AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL 6901

Подробнее о заказе

FQB16N15TM FQB16N15TM MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK 1881

Подробнее о заказе

IPP60R199CP IPP60R199CP IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN 984

Подробнее о заказе

IPA60R299CPXKSA1 IPA60R299CPXKSA1 MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31 986

Подробнее о заказе

NVMFS6H800NWFT1G NVMFS6H800NWFT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN 919

Подробнее о заказе

PMT200EPEX PMT200EPEX MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223 930

Подробнее о заказе

FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 9097

Подробнее о заказе

STD7LN80K5 STD7LN80K5 MOSFET N-CH 800V 5A DPAK 850

Подробнее о заказе

SI3420A-TP SI3420A-TP MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 969

Подробнее о заказе

FDMS7692A FDMS7692A MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8PQFN 231677

Подробнее о заказе

SPW15N60CFDFKSA1 SPW15N60CFDFKSA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 1156

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11239 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.43000$0.43
3000$0.07551$226.53
6000$0.06796$407.76
15000$0.06041$906.15
30000$0.05663$1698.9
75000$0.05286$3964.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top