Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSZ058N03LSGATMA1
LIXINC Part # BSZ058N03LSGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSZ058N03LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSZ058N03LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSZ058N03LSGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:15A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:5.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.1W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TSDSON-8
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSZ058N03LSGATMA1 Документы

if BSZ058N03LSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7P AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL 6887

Подробнее о заказе
FQB16N15TM FQB16N15TM MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK 1952

Подробнее о заказе
IPP60R199CP IPP60R199CP IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN 939

Подробнее о заказе
IPA60R299CPXKSA1 IPA60R299CPXKSA1 MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31 936

Подробнее о заказе
NVMFS6H800NWFT1G NVMFS6H800NWFT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN 803

Подробнее о заказе
PMT200EPEX PMT200EPEX MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223 807

Подробнее о заказе
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 9104

Подробнее о заказе
STD7LN80K5 STD7LN80K5 MOSFET N-CH 800V 5A DPAK 882

Подробнее о заказе
SI3420A-TP SI3420A-TP MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 935

Подробнее о заказе
FDMS7692A FDMS7692A MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8PQFN 231656

Подробнее о заказе
SPW15N60CFDFKSA1 SPW15N60CFDFKSA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 1198

Подробнее о заказе
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3 1024

Подробнее о заказе
DMN3071LFR4-7 DMN3071LFR4-7 MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN 969

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13517 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.75000$0.75
5000$0.33413$1670.65
10000$0.32175$3217.5
25000$0.31500$7875

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top