Только для справки
| номер части | SSM3J325F,LF |
| LIXINC Part # | SSM3J325F,LF |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SSM3J325F,LF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SSM3J325F,LF |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVI |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 1.5V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 150mOhm @ 1A, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 4.6 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±8V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 270 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 600mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | S-Mini |
| упаковка / чехол: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| IRFBG30PBF-BE3 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB | 1822 Подробнее о заказе |
|
| BSZ058N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON | 3624 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLS3034-7P | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 6946 Подробнее о заказе |
|
| FQB16N15TM | MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK | 1884 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R199CP | IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN | 935 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R299CPXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31 | 823 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS6H800NWFT1G | MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN | 806 Подробнее о заказе |
|
| PMT200EPEX | MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223 | 948 Подробнее о заказе |
|
| FDH047AN08A0 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 | 8938 Подробнее о заказе |
|
| STD7LN80K5 | MOSFET N-CH 800V 5A DPAK | 844 Подробнее о заказе |
|
| SI3420A-TP | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | 882 Подробнее о заказе |
|
| FDMS7692A | MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8PQFN | 231569 Подробнее о заказе |
|
| SPW15N60CFDFKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1086 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11325 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.43000 | $0.43 |
| 3000 | $0.07551 | $226.53 |
| 6000 | $0.06796 | $407.76 |
| 15000 | $0.06041 | $906.15 |
| 30000 | $0.05663 | $1698.9 |
| 75000 | $0.05286 | $3964.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.