Только для справки
| номер части | SPB02N60C3ATMA1 |
| LIXINC Part # | SPB02N60C3ATMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SPB02N60C3ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SPB02N60C3ATMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 80µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 12.5 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 200 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 25W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| APT6017LFLLG | MOSFET N-CH 600V 35A TO264 | 890 Подробнее о заказе |
|
| FQD1N60TM | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | 10954 Подробнее о заказе |
|
| LND150N3-G-P003 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | 3088 Подробнее о заказе |
|
| PMT29EN,115 | MOSFET N-CH 30V 6A SOT223 | 904 Подробнее о заказе |
|
| SSM3J325F,LF | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | 1319 Подробнее о заказе |
|
| IRFBG30PBF-BE3 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB | 1839 Подробнее о заказе |
|
| BSZ058N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON | 3613 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLS3034-7P | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 6915 Подробнее о заказе |
|
| FQB16N15TM | MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK | 1871 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R199CP | IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN | 805 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R299CPXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31 | 849 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS6H800NWFT1G | MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN | 979 Подробнее о заказе |
|
| PMT200EPEX | MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223 | 936 Подробнее о заказе |
| В наличии | 36908 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.59000 | $0.59 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.