IKW03N120H2FKSA1 | Rochester Electronics IKW03N120H2FKSA1 | IKW03N120H2FKSA1 Inventory, Best Pricing

IKW03N120H2FKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IKW03N120H2FKSA1
LIXINC Part #	IKW03N120H2FKSA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	DISCRETE IGBT WITH DIODE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IKW03N120H2FKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IKW03N120H2FKSA1 Технические характеристики

номер части:	IKW03N120H2FKSA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1.2 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	9.6 A
ток - коллектор импульсный (icm):	9.9 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 3A
мощность - макс.:	62.5 W
переключение энергии:	290µJ
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	22 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	9.2ns/281ns
условия испытаний:	800V, 3A, 82Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	42 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.37000	$1.37

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015