AIHD10N60RFATMA1 | IR (Infineon Technologies) AIHD10N60RFATMA1 | AIHD10N60RFATMA1 Inventory, Best Pricing

AIHD10N60RFATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	AIHD10N60RFATMA1
LIXINC Part #	AIHD10N60RFATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IC DISCRETE 600V TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	AIHD10N60RFATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

AIHD10N60RFATMA1 Технические характеристики

номер части:	AIHD10N60RFATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
ток - коллектор импульсный (icm):	30 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 10A
мощность - макс.:	150 W
переключение энергии:	190µJ (on), 160µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	64 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	12ns/168ns
условия испытаний:	400V, 10A, 26Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3-313

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.19000	$1.19
2500	$1.16333	$2908.325

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015