RGT8NS65DGTL | ROHM Semiconductor RGT8NS65DGTL | RGT8NS65DGTL Inventory, Best Pricing

RGT8NS65DGTL

Увеличить

Только для справки

номер части	RGT8NS65DGTL
LIXINC Part #	RGT8NS65DGTL
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RGT8NS65DGTL След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RGT8NS65DGTL Технические характеристики

номер части:	RGT8NS65DGTL
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	8 A
ток - коллектор импульсный (icm):	12 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
мощность - макс.:	65 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	13.5 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	17ns/69ns
условия испытаний:	400V, 4A, 50Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	40 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	LPDS (TO-263S)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015