BSZ014NE2LS5IFATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ014NE2LS5IFATMA1 | BSZ014NE2LS5IFATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ014NE2LS5IFATMA1
LIXINC Part #	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ014NE2LS5IFATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ014NE2LS5IFATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	31A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.45mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2300 pF @ 12 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Body)
рассеиваемая мощность (макс.):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

FDZ193P	MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP	826374 Подробнее о заказе
SI7469DP-T1-E3	MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8	11404 Подробнее о заказе
IXFN40N90P	MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B	1049 Подробнее о заказе
SPD04P10PLGBTMA1	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3	983 Подробнее о заказе
STD6N65M2	MOSFET N-CH 650V 4A DPAK	3376 Подробнее о заказе
CSD16407Q5	MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON	2952 Подробнее о заказе
IPP065N03LGXKSA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3	16998 Подробнее о заказе
RM50P40LD	MOSFET P-CHANNEL 40V 52A TO252-2	943 Подробнее о заказе
IXFH16N50P	MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD	1022 Подробнее о заказе
IPS65R1K4C6	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3	994 Подробнее о заказе
APT7M120S	MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK	828 Подробнее о заказе
BSC009NE2LSATMA1	MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON	4263 Подробнее о заказе
PMCM650VNE	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	860 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.00000	$2
5000	$0.88181	$4409.05

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015