SPD04P10PLGBTMA1 | IR (Infineon Technologies) SPD04P10PLGBTMA1 | SPD04P10PLGBTMA1 Inventory, Best Pricing

SPD04P10PLGBTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	SPD04P10PLGBTMA1
LIXINC Part #	SPD04P10PLGBTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SPD04P10PLGBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SPD04P10PLGBTMA1 Технические характеристики

номер части:	SPD04P10PLGBTMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	SIPMOS®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.2A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 380µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	372 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	38W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD6N65M2	MOSFET N-CH 650V 4A DPAK	3371 Подробнее о заказе
CSD16407Q5	MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON	2901 Подробнее о заказе
IPP065N03LGXKSA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3	16844 Подробнее о заказе
RM50P40LD	MOSFET P-CHANNEL 40V 52A TO252-2	882 Подробнее о заказе
IXFH16N50P	MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD	1049 Подробнее о заказе
IPS65R1K4C6	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3	943 Подробнее о заказе
APT7M120S	MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK	814 Подробнее о заказе
BSC009NE2LSATMA1	MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON	4144 Подробнее о заказе
PMCM650VNE	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	996 Подробнее о заказе
IPB022N04LG	N-CHANNEL POWER MOSFET	2691 Подробнее о заказе
NVF3055L108T3G	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223	3474 Подробнее о заказе
BS170	MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3	804 Подробнее о заказе
SI4434DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO	5180 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015