Только для справки
| номер части | IPS65R1K4C6 |
| LIXINC Part # | IPS65R1K4C6 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPS65R1K4C6 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPS65R1K4C6 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ C6 |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3.2A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 100µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 10.5 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 225 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 28W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO251-3 |
| упаковка / чехол: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| APT7M120S | MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK | 929 Подробнее о заказе |
|
| BSC009NE2LSATMA1 | MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON | 4262 Подробнее о заказе |
|
| PMCM650VNE | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 872 Подробнее о заказе |
|
| IPB022N04LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2717 Подробнее о заказе |
|
| NVF3055L108T3G | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | 3492 Подробнее о заказе |
|
| BS170 | MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 | 895 Подробнее о заказе |
|
| SI4434DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO | 5192 Подробнее о заказе |
|
| STB36NM60ND | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 1931 Подробнее о заказе |
|
| STB18N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 1397 Подробнее о заказе |
|
| IRFBC40LCPBF | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB | 1811 Подробнее о заказе |
|
| BSL373SNH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6 | 12912 Подробнее о заказе |
|
| IXTK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO264 | 3664 Подробнее о заказе |
|
| R6003KND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 3A TO252 | 3275 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10867 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.35000 | $0.35 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.