Только для справки
| номер части | STP35N60DM2 |
| LIXINC Part # | STP35N60DM2 |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 28A TO220 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | STP35N60DM2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | STP35N60DM2 |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| ряд: | MDmesh™ DM2 |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 28A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 110mOhm @ 14A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 54 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±25V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2400 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 210W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| FDD86381-F085 | MOSFET N-CH 80V 25A DPAK | 5948 Подробнее о заказе |
|
| IXKH47N60C | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD | 818 Подробнее о заказе |
|
| IRF6726MTRPBF | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET | 895 Подробнее о заказе |
|
| DMT10H009SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 976 Подробнее о заказе |
|
| IPN80R2K0P7ATMA1 | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223 | 4886 Подробнее о заказе |
|
| HUF75925D3ST | MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA | 3596 Подробнее о заказе |
|
| DMN62D1LFB-7B | MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN | 18970 Подробнее о заказе |
|
| APT10045JFLL | MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP | 948 Подробнее о заказе |
|
| IRFP3703PBF | MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC | 4615 Подробнее о заказе |
|
| IRFU4615PBF | MOSFET N-CH 150V 33A IPAK | 812 Подробнее о заказе |
|
| FQB7N65CTM | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK | 8565 Подробнее о заказе |
|
| SIHB24N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK | 980 Подробнее о заказе |
|
| IRFAF52 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 1019 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10924 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.81000 | $4.81 |
| 50 | $3.86745 | $193.3725 |
| 100 | $3.52362 | $352.362 |
| 500 | $2.85327 | $1426.635 |
| 1000 | $2.40638 | $2406.38 |
| 2500 | $2.28605 | $5715.125 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.