Только для справки
| номер части | FQB7N65CTM |
| LIXINC Part # | FQB7N65CTM |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQB7N65CTM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQB7N65CTM |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 7A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.4Ohm @ 3.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.245 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 173W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SIHB24N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK | 803 Подробнее о заказе |
|
| IRFAF52 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 1143 Подробнее о заказе |
|
| APT50M65JLL | MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | 990 Подробнее о заказе |
|
| IXTA70N075T2-TRL | MOSFET N-CH 75V 70A TO263 | 898 Подробнее о заказе |
|
| FDS8936A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 77150 Подробнее о заказе |
|
| SIJH112E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK | 1007 Подробнее о заказе |
|
| SIHH26N60E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8 | 892 Подробнее о заказе |
|
| TW070J120B,S1Q | SICFET N-CH 1200V 36A TO3P | 1260 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R600P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 | 1405 Подробнее о заказе |
|
| STW88N65M5-4 | MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L | 892 Подробнее о заказе |
|
| NTLJS3113PT1G | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN | 3170 Подробнее о заказе |
|
| SIHA22N60AE-E3 | MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220 | 1857 Подробнее о заказе |
|
| IXTA44P15T | MOSFET P-CH 150V 44A TO263 | 5064484 Подробнее о заказе |
| В наличии | 18594 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.44000 | $1.44 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.