IPN80R2K0P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN80R2K0P7ATMA1 | IPN80R2K0P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN80R2K0P7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPN80R2K0P7ATMA1
LIXINC Part #	IPN80R2K0P7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPN80R2K0P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPN80R2K0P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPN80R2K0P7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	175 pF @ 500 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT223
упаковка / чехол:	TO-261-3

HUF75925D3ST	MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA	3588 Подробнее о заказе
DMN62D1LFB-7B	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN	18876 Подробнее о заказе
APT10045JFLL	MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP	976 Подробнее о заказе
IRFP3703PBF	MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC	4507 Подробнее о заказе
IRFU4615PBF	MOSFET N-CH 150V 33A IPAK	976 Подробнее о заказе
FQB7N65CTM	MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK	8583 Подробнее о заказе
SIHB24N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK	912 Подробнее о заказе
IRFAF52	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1085 Подробнее о заказе
APT50M65JLL	MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP	1013 Подробнее о заказе
IXTA70N075T2-TRL	MOSFET N-CH 75V 70A TO263	924 Подробнее о заказе
FDS8936A	N-CHANNEL POWER MOSFET	77169 Подробнее о заказе
SIJH112E-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK	975 Подробнее о заказе
SIHH26N60E-T1-GE3	MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8	904 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015