SIS890DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIS890DN-T1-GE3 | SIS890DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIS890DN-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIS890DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SIS890DN-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIS890DN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIS890DN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIS890DN-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	23.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	802 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® 1212-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® 1212-8

TSM3N100CP ROG	MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252	824 Подробнее о заказе
NVMFS5C460NLWFAFT3G	MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN	823 Подробнее о заказе
NTB65N02RT4G	MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK	4824 Подробнее о заказе
EPC2034	GANFET N-CH 200V 48A DIE	34891 Подробнее о заказе
IXFR80N50P	MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247	102950 Подробнее о заказе
BSP316PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4	58275 Подробнее о заказе
BSC070N10NS3GATMA1	MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8	101125 Подробнее о заказе
PSMN2R2-25YLC,115	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56	3271 Подробнее о заказе
IRL7833STRLPBF	MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK	1493 Подробнее о заказе
IPP60R080P7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3	907 Подробнее о заказе
PMPB50ENEX	MOSFET DFN2020MD-6	3815 Подробнее о заказе
PMPB100ENEA115	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	30840 Подробнее о заказе
SI7434ADP-T1-RE3	MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK	3569 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015