Только для справки
| номер части | IPP60R080P7XKSA1 |
| LIXINC Part # | IPP60R080P7XKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPP60R080P7XKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPP60R080P7XKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ P7 |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 37A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 80mOhm @ 11.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 590µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 51 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2180 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 129W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| PMPB50ENEX | MOSFET DFN2020MD-6 | 3980 Подробнее о заказе |
|
| PMPB100ENEA115 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 30894 Подробнее о заказе |
|
| SI7434ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK | 3647 Подробнее о заказе |
|
| IRF9520STRRPBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK | 996 Подробнее о заказе |
|
| PSMN057-200B,118 | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK | 4365 Подробнее о заказе |
|
| DMN3016LFDE-7 | MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN | 3812 Подробнее о заказе |
|
| IPP80N04S304AKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 27814 Подробнее о заказе |
|
| C3M0280090J | SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 | 948 Подробнее о заказе |
|
| IRF7450PBF | SMPS HEXFET POWER MOSFET | 840 Подробнее о заказе |
|
| BSZ22DN20NS3G | BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P | 1998 Подробнее о заказе |
|
| BSZ110N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON | 61070 Подробнее о заказе |
|
| APT10021JLL | MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP | 803 Подробнее о заказе |
|
| BUK6Y24-40PX | MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56 | 1976 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10992 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.96000 | $4.96 |
| 10 | $4.45457 | $44.5457 |
| 100 | $3.70444 | $370.444 |
| 500 | $3.05448 | $1527.24 |
| 1000 | $2.62116 | $2621.16 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.