Только для справки
| номер части | BSP316PH6327XTSA1 |
| LIXINC Part # | BSP316PH6327XTSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSP316PH6327XTSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSP316PH6327XTSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | SIPMOS® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 680mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.8Ohm @ 680mA, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 170µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 6.4 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 146 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.8W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-SOT223-4 |
| упаковка / чехол: | TO-261-4, TO-261AA |
| BSC070N10NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | 101131 Подробнее о заказе |
|
| PSMN2R2-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 3190 Подробнее о заказе |
|
| IRL7833STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 1672 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R080P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3 | 816 Подробнее о заказе |
|
| PMPB50ENEX | MOSFET DFN2020MD-6 | 3988 Подробнее о заказе |
|
| PMPB100ENEA115 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 30861 Подробнее о заказе |
|
| SI7434ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK | 3583 Подробнее о заказе |
|
| IRF9520STRRPBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK | 967 Подробнее о заказе |
|
| PSMN057-200B,118 | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK | 4284 Подробнее о заказе |
|
| DMN3016LFDE-7 | MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN | 3913 Подробнее о заказе |
|
| IPP80N04S304AKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 27861 Подробнее о заказе |
|
| C3M0280090J | SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 | 887 Подробнее о заказе |
|
| IRF7450PBF | SMPS HEXFET POWER MOSFET | 963 Подробнее о заказе |
| В наличии | 58278 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.83000 | $0.83 |
| 1000 | $0.40975 | $409.75 |
| 2000 | $0.37508 | $750.16 |
| 5000 | $0.35196 | $1759.8 |
| 10000 | $0.34041 | $3404.1 |
| 25000 | $0.33410 | $8352.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.