Только для справки
| номер части | NTMFS6B05NT3G |
| LIXINC Part # | NTMFS6B05NT3G |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | NTMFS6B05NT3G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | NTMFS6B05NT3G |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 16A (Ta), 104A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 8mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 44 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3100 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.3W (Ta), 138W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| FQP32N12V2 | MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3 | 2214 Подробнее о заказе |
|
| IXFH52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD | 882 Подробнее о заказе |
|
| SIHF22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | 930 Подробнее о заказе |
|
| IRFU1N60APBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA | 3396 Подробнее о заказе |
|
| IRFIBE30GPBF | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 | 1670 Подробнее о заказе |
|
| FDB603AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 40101 Подробнее о заказе |
|
| IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100V 320A TO268 | 1404 Подробнее о заказе |
|
| BB502CBS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 60805 Подробнее о заказе |
|
| IRFR24N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 6404 Подробнее о заказе |
|
| IRFF232 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1201 Подробнее о заказе |
|
| SIRA88DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 | 1548 Подробнее о заказе |
|
| IRF2204PBF | MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB | 863 Подробнее о заказе |
|
| IPP037N08N3G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 931 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10857 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.67525 | $2.67525 |
| 5000 | $2.67525 | $13376.25 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.