Только для справки
| номер части | IRFIBE30GPBF |
| LIXINC Part # | IRFIBE30GPBF |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRFIBE30GPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRFIBE30GPBF |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.1A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3Ohm @ 1.3A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 78 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1300 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 35W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| FDB603AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 40183 Подробнее о заказе |
|
| IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100V 320A TO268 | 1402 Подробнее о заказе |
|
| BB502CBS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 60873 Подробнее о заказе |
|
| IRFR24N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 6501 Подробнее о заказе |
|
| IRFF232 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1249 Подробнее о заказе |
|
| SIRA88DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 | 1497 Подробнее о заказе |
|
| IRF2204PBF | MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB | 829 Подробнее о заказе |
|
| IPP037N08N3G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 897 Подробнее о заказе |
|
| SI7370DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | 1518 Подробнее о заказе |
|
| TN0620N3-G-P002 | MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 | 4640 Подробнее о заказе |
|
| AON6435 | MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN | 944 Подробнее о заказе |
|
| IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 | 5804 Подробнее о заказе |
|
| IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO247 | 980 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11669 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.85000 | $2.85 |
| 50 | $2.31498 | $115.749 |
| 100 | $2.09161 | $209.161 |
| 500 | $1.64480 | $822.4 |
| 1000 | $1.37676 | $1376.76 |
| 2500 | $1.28741 | $3218.525 |
| 5000 | $1.24274 | $6213.7 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.