Только для справки
| номер части | FQP32N12V2 |
| LIXINC Part # | FQP32N12V2 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQP32N12V2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQP32N12V2 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 120 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 32A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 50mOhm @ 16A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 53 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.86 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 150W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| IXFH52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD | 823 Подробнее о заказе |
|
| SIHF22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | 831 Подробнее о заказе |
|
| IRFU1N60APBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA | 3439 Подробнее о заказе |
|
| IRFIBE30GPBF | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 | 1637 Подробнее о заказе |
|
| FDB603AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 40064 Подробнее о заказе |
|
| IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100V 320A TO268 | 1340 Подробнее о заказе |
|
| BB502CBS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 60994 Подробнее о заказе |
|
| IRFR24N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 6406 Подробнее о заказе |
|
| IRFF232 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1150 Подробнее о заказе |
|
| SIRA88DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 | 1585 Подробнее о заказе |
|
| IRF2204PBF | MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB | 819 Подробнее о заказе |
|
| IPP037N08N3G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 850 Подробнее о заказе |
|
| SI7370DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | 1473 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12149 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.59000 | $0.59 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.