Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPW65R660CFDFKSA1

IPW65R660CFDFKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPW65R660CFDFKSA1
LIXINC Part # IPW65R660CFDFKSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPW65R660CFDFKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPW65R660CFDFKSA1 Технические характеристики

номер части:IPW65R660CFDFKSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:615 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):62.5W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO247-3
упаковка / чехол:TO-247-3

IPW65R660CFDFKSA1 Документы

if IPW65R660CFDFKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUK7Y2R0-40HX BUK7Y2R0-40HX MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 979

Подробнее о заказе
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 1523

Подробнее о заказе
FDMS4435BZ FDMS4435BZ MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN 7886

Подробнее о заказе
XP231N02013R-G XP231N02013R-G MOSFET N-CH 30V 200MA SOT323-3 3834

Подробнее о заказе
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB 959

Подробнее о заказе
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 1054

Подробнее о заказе
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 416307

Подробнее о заказе
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 3873

Подробнее о заказе
FDB024N04AL7 FDB024N04AL7 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7 31776

Подробнее о заказе
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 MOSFET P-CH 20V 4WLCSP 3940

Подробнее о заказе
FDU6612A FDU6612A MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK 45916

Подробнее о заказе
CSD23285F5T CSD23285F5T MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR 4908

Подробнее о заказе
ES6U41T2R ES6U41T2R MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT 954

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15691 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.92000$0.92
240$0.92000$220.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top