Только для справки
| номер части | FDB024N04AL7 |
| LIXINC Part # | FDB024N04AL7 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB024N04AL7 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB024N04AL7 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 109 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 7.3 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 214W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263-7 |
| упаковка / чехол: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| SI8425DB-T1-E1 | MOSFET P-CH 20V 4WLCSP | 3852 Подробнее о заказе |
|
| FDU6612A | MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK | 45849 Подробнее о заказе |
|
| CSD23285F5T | MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR | 4980 Подробнее о заказе |
|
| ES6U41T2R | MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT | 900 Подробнее о заказе |
|
| FQI3N30TU | MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK | 2092 Подробнее о заказе |
|
| MTSF2P03HDR2 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 212840 Подробнее о заказе |
|
| TK65E10N1,S1X | MOSFET N CH 100V 148A TO220 | 1802 Подробнее о заказе |
|
| SSR1N60BTM | MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK | 34410 Подробнее о заказе |
|
| SQJA60EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 | 1212 Подробнее о заказе |
|
| MTP5P25 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 76806 Подробнее о заказе |
|
| TP65H300G4LSG | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN | 1061 Подробнее о заказе |
|
| IXTT12N150 | MOSFET N-CH 1500V 12A TO268 | 31568 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R7-30YL,115 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 841 Подробнее о заказе |
| В наличии | 31639 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.65000 | $2.65 |
| 800 | $2.57173 | $2057.384 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.