XP231N02013R-G | Torex Semiconductor Ltd. XP231N02013R-G | XP231N02013R-G Inventory, Best Pricing

XP231N02013R-G

Увеличить

Только для справки

номер части	XP231N02013R-G
LIXINC Part #	XP231N02013R-G
Производитель	Torex Semiconductor Ltd.
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 200MA SOT323-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	XP231N02013R-G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

XP231N02013R-G Технические характеристики

номер части:	XP231N02013R-G
Бренд:	Torex Semiconductor Ltd.
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Torex Semiconductor Ltd.
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	200mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 10mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.8V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	180 pC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6.5 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	350mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-323-3
упаковка / чехол:	SC-70, SOT-323

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.36000	$0.36

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015