Только для справки
| номер части | EPC8004 |
| LIXINC Part # | EPC8004 |
| Производитель | EPC |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | GANFET N-CH 40V 2.7A DIE |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | EPC8004 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | EPC8004 |
| Бренд: | EPC |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | EPC |
| ряд: | eGaN® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.7A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 110mOhm @ 500mA, 5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 0.45 nC @ 5 V |
| ВГС (макс.): | +6V, -4V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 52 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | Die |
| упаковка / чехол: | Die |
| RUF015N02TL | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 | 10543 Подробнее о заказе |
|
| BSC039N06NSATMA1 | MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON | 35940 Подробнее о заказе |
|
| IPD30N06S2L13ATMA1 | IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT | 945 Подробнее о заказе |
|
| FDMC86520DC | MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33 | 975 Подробнее о заказе |
|
| BSC016N03LSG | BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | 910 Подробнее о заказе |
|
| IPA80R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F | 1283 Подробнее о заказе |
|
| 2SK2628LS | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 6856 Подробнее о заказе |
|
| PSMN8R7-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK | 1519 Подробнее о заказе |
|
| SIR404DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 5073 Подробнее о заказе |
|
| IXTQ100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO3P | 997 Подробнее о заказе |
|
| NTBG160N120SC1 | TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK | 7906409 Подробнее о заказе |
|
| APT7F100B | MOSFET N-CH 1000V 7A TO247 | 837 Подробнее о заказе |
|
| DMN3018SSS-13 | MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO | 10800 Подробнее о заказе |
| В наличии | 33827 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.18000 | $3.18 |
| 2500 | $2.54608 | $6365.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.