Только для справки
| номер части | RAL025P01TCR |
| LIXINC Part # | RAL025P01TCR |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | RAL025P01TCR След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | RAL025P01TCR |
| Бренд: | ROHM Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 12 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.5A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 1.5V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 62mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 16 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | -8V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2000 pF @ 6 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 320mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TUMT6 |
| упаковка / чехол: | 6-SMD, Flat Leads |
| C3M0016120D | SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3 | 927 Подробнее о заказе |
|
| ECH8305-TL-E | MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH | 72847 Подробнее о заказе |
|
| FDBL86363-F085 | MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF | 28915 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN6A25GTA | MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 | 13431 Подробнее о заказе |
|
| FCP650N80Z | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | 6573316 Подробнее о заказе |
|
| CSD17575Q3T | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 5160 Подробнее о заказе |
|
| FDD8874 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 32095 Подробнее о заказе |
|
| IPB024N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 1509 Подробнее о заказе |
|
| SIS862ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK | 2281 Подробнее о заказе |
|
| SIR416DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | 2674 Подробнее о заказе |
|
| IRFR9N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK | 1969 Подробнее о заказе |
|
| R6011KND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO252 | 987 Подробнее о заказе |
|
| IPB097N08N3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 878 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11180 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.38000 | $0.38 |
| 3000 | $0.10168 | $305.04 |
| 6000 | $0.09551 | $573.06 |
| 15000 | $0.08935 | $1340.25 |
| 30000 | $0.08627 | $2588.1 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.