Только для справки
| номер части | ECH8305-TL-E |
| LIXINC Part # | ECH8305-TL-E |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | ECH8305-TL-E След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | ECH8305-TL-E |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 85mOhm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 34 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.68 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.6W (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-ECH |
| упаковка / чехол: | 8-SMD, Flat Lead |
| FDBL86363-F085 | MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF | 28878 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN6A25GTA | MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 | 13530 Подробнее о заказе |
|
| FCP650N80Z | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | 6573325 Подробнее о заказе |
|
| CSD17575Q3T | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 5094 Подробнее о заказе |
|
| FDD8874 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 32104 Подробнее о заказе |
|
| IPB024N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 1536 Подробнее о заказе |
|
| SIS862ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK | 2246 Подробнее о заказе |
|
| SIR416DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | 2744 Подробнее о заказе |
|
| IRFR9N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK | 1855 Подробнее о заказе |
|
| R6011KND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO252 | 897 Подробнее о заказе |
|
| IPB097N08N3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 899 Подробнее о заказе |
|
| IRFI9640GPBF | MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3 | 1541 Подробнее о заказе |
|
| CSD13381F4T | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | 1069 Подробнее о заказе |
| В наличии | 72980 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.23000 | $0.23 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.