Только для справки
| номер части | SIR416DP-T1-GE3 |
| LIXINC Part # | SIR416DP-T1-GE3 |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SIR416DP-T1-GE3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SIR416DP-T1-GE3 |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | TrenchFET® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.8mOhm @ 15A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 90 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3350 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SO-8 |
| упаковка / чехол: | PowerPAK® SO-8 |
| IRFR9N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK | 1969 Подробнее о заказе |
|
| R6011KND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO252 | 1028 Подробнее о заказе |
|
| IPB097N08N3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 951 Подробнее о заказе |
|
| IRFI9640GPBF | MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3 | 1561 Подробнее о заказе |
|
| CSD13381F4T | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | 1033 Подробнее о заказе |
|
| NTMS4700NR2G | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC | 5828 Подробнее о заказе |
|
| SQM40014EM_GE3 | MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 | 986 Подробнее о заказе |
|
| IRFR024NTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 991 Подробнее о заказе |
|
| NTP2955G | MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB | 19634866 Подробнее о заказе |
|
| IRF720SPBF | MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK | 1472 Подробнее о заказе |
|
| AOB20S60L | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | 924 Подробнее о заказе |
|
| STF28NM50N | MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP | 1765 Подробнее о заказе |
|
| PH9030AL115 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 11396 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12667 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.42000 | $1.42 |
| 3000 | $0.66782 | $2003.46 |
| 6000 | $0.63646 | $3818.76 |
| 15000 | $0.61407 | $9211.05 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.