SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR416DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR416DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR416DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR416DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIR416DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3350 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):5.2W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFR9N20DPBF IRFR9N20DPBF MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK 1969

Подробнее о заказе

R6011KND3TL1 R6011KND3TL1 MOSFET N-CH 600V 11A TO252 1028

Подробнее о заказе

IPB097N08N3G IPB097N08N3G N-CHANNEL POWER MOSFET 951

Подробнее о заказе

IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3 1561

Подробнее о заказе

CSD13381F4T CSD13381F4T MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 1033

Подробнее о заказе

NTMS4700NR2G NTMS4700NR2G MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC 5828

Подробнее о заказе

SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 986

Подробнее о заказе

IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 991

Подробнее о заказе

NTP2955G NTP2955G MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB 19634866

Подробнее о заказе

IRF720SPBF IRF720SPBF MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK 1472

Подробнее о заказе

AOB20S60L AOB20S60L MOSFET N-CH 600V 20A TO263 924

Подробнее о заказе

STF28NM50N STF28NM50N MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP 1765

Подробнее о заказе

PH9030AL115 PH9030AL115 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 11396

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12667 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.42000$1.42
3000$0.66782$2003.46
6000$0.63646$3818.76
15000$0.61407$9211.05

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top