TSM80N950CH C5G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM80N950CH C5G | TSM80N950CH C5G Inventory, Best Pricing

TSM80N950CH C5G

Увеличить

Только для справки

номер части	TSM80N950CH C5G
LIXINC Part #	TSM80N950CH C5G
Производитель	TSC (Taiwan Semiconductor)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TSM80N950CH C5G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TSM80N950CH C5G Технические характеристики

номер части:	TSM80N950CH C5G
Бренд:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	TSC (Taiwan Semiconductor)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	950mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	19.6 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	691 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	110W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-251 (IPAK)
упаковка / чехол:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

RAL025P01TCR	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6	1214 Подробнее о заказе
C3M0016120D	SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3	994 Подробнее о заказе
ECH8305-TL-E	MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH	72995 Подробнее о заказе
FDBL86363-F085	MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF	28904 Подробнее о заказе
ZXMN6A25GTA	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223	13423 Подробнее о заказе
FCP650N80Z	MOSFET N-CH 800V 10A TO220	6573371 Подробнее о заказе
CSD17575Q3T	MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON	5085 Подробнее о заказе
FDD8874	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	32258 Подробнее о заказе
IPB024N08N5ATMA1	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK	1502 Подробнее о заказе
SIS862ADN-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK	2195 Подробнее о заказе
SIR416DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8	2559 Подробнее о заказе
IRFR9N20DPBF	MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK	1966 Подробнее о заказе
R6011KND3TL1	MOSFET N-CH 600V 11A TO252	970 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015