Только для справки
| номер части | EPC8010 |
| LIXINC Part # | EPC8010 |
| Производитель | EPC |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | GANFET N-CH 100V 2.7A DIE |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | EPC8010 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | EPC8010 |
| Бренд: | EPC |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | EPC |
| ряд: | eGaN® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.7A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 160mOhm @ 500mA, 5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 0.48 nC @ 5 V |
| ВГС (макс.): | +6V, -4V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 55 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | Die |
| упаковка / чехол: | Die |
| FCH22N60N | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 | 2017388 Подробнее о заказе |
|
| SPP15N65C3XKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7111 Подробнее о заказе |
|
| RCX700N20 | MOSFET N-CH 200V 70A TO220FM | 1265 Подробнее о заказе |
|
| IRFS4615TRLPBF | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 1630 Подробнее о заказе |
|
| FDP038AN06A0-F102 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | 827 Подробнее о заказе |
|
| CSD17578Q5AT | MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON | 1967 Подробнее о заказе |
|
| TP65H035WSQA | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | 1364 Подробнее о заказе |
|
| SIHA4N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220 | 1772 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFR5505-IR | PFET, 18A I(D), 55V, 0.11OHM, 1O | 1348 Подробнее о заказе |
|
| TSM70N380CH C5G | MOSFET N-CH 700V 11A TO251 | 4707 Подробнее о заказе |
|
| UPA2715GR-E1-AT | P-CHANNEL POWER MOSFET | 10618 Подробнее о заказе |
|
| IRF7834PBF | MOSFET N-CH 30V 19A 8SO | 6973 Подробнее о заказе |
|
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | MOSFET N-CH 650V 3.6A SOT223 | 3964 Подробнее о заказе |
| В наличии | 16249 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.04000 | $2.04 |
| 2500 | $0.91334 | $2283.35 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.