Только для справки
| номер части | IRF7834PBF |
| LIXINC Part # | IRF7834PBF |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 19A 8SO |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF7834PBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF7834PBF |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 19A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 4.5mOhm @ 19A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.25V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 44 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3710 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SO |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | MOSFET N-CH 650V 3.6A SOT223 | 3951 Подробнее о заказе |
|
| SQJ886EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 1152 Подробнее о заказе |
|
| SI1442DH-T1-BE3 | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 | 3624 Подробнее о заказе |
|
| APT8015JVFR | MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP | 853 Подробнее о заказе |
|
| IPB26CN10NGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | 12851 Подробнее о заказе |
|
| FDMS86350 | MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56 | 22618 Подробнее о заказе |
|
| APTM120U10SAG | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | 964 Подробнее о заказе |
|
| EPC2016C | GANFET N-CH 100V 18A DIE | 135547 Подробнее о заказе |
|
| STF11NM60ND | MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP | 1237 Подробнее о заказе |
|
| IXTP10P15T | MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB | 4449 Подробнее о заказе |
|
| IPB65R099C6ATMA1 | IPB65R099 - OPTLMOS N-CHANNEL | 26199 Подробнее о заказе |
|
| R6509KNJTL | MOSFET N-CH 650V 9A LPTS | 1018 Подробнее о заказе |
|
| RD3H045SPTL1 | MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252 | 2500 Подробнее о заказе |
| В наличии | 16925 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.55000 | $0.55 |
| 3800 | $0.55000 | $2090 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.