Только для справки
| номер части | FCH22N60N |
| LIXINC Part # | FCH22N60N |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FCH22N60N След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FCH22N60N |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | SupreMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 22A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 165mOhm @ 11A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1950 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 205W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-247-3 |
| упаковка / чехол: | TO-247-3 |
| SPP15N65C3XKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7114 Подробнее о заказе |
|
| RCX700N20 | MOSFET N-CH 200V 70A TO220FM | 1153 Подробнее о заказе |
|
| IRFS4615TRLPBF | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 1553 Подробнее о заказе |
|
| FDP038AN06A0-F102 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | 904 Подробнее о заказе |
|
| CSD17578Q5AT | MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON | 1945 Подробнее о заказе |
|
| TP65H035WSQA | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | 1400 Подробнее о заказе |
|
| SIHA4N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220 | 1869 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFR5505-IR | PFET, 18A I(D), 55V, 0.11OHM, 1O | 1334 Подробнее о заказе |
|
| TSM70N380CH C5G | MOSFET N-CH 700V 11A TO251 | 4702 Подробнее о заказе |
|
| UPA2715GR-E1-AT | P-CHANNEL POWER MOSFET | 10659 Подробнее о заказе |
|
| IRF7834PBF | MOSFET N-CH 30V 19A 8SO | 7008 Подробнее о заказе |
|
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | MOSFET N-CH 650V 3.6A SOT223 | 3815 Подробнее о заказе |
|
| SQJ886EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 1158 Подробнее о заказе |
| В наличии | 2017353 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.00000 | $6 |
| 10 | $5.37521 | $53.7521 |
| 450 | $4.02208 | $1809.936 |
| 900 | $3.29337 | $2964.033 |
| 1350 | $3.08516 | $4164.966 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.