Только для справки
| номер части | FDMS8558S |
| LIXINC Part # | FDMS8558S |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | 38A, 25V, 0.0015OHM, N-CHANNEL, |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDMS8558S След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDMS8558S |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench®, SyncFET™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 33A (Ta), 90A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.5mOhm @ 33A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5.118 pF @ 13 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-PQFN (5x6) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| IRF7832PBF | HEXFET POWER MOSFET | 912 Подробнее о заказе |
|
| IXFA8N85XHV | MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV | 814 Подробнее о заказе |
|
| IXTQ52N30P | MOSFET N-CH 300V 52A TO3P | 1206 Подробнее о заказе |
|
| TK65G10N1,RQ | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK | 3446 Подробнее о заказе |
|
| MTB55N06Z | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4487 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1620L-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2090 Подробнее о заказе |
|
| BTS132E3045ANTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 13923 Подробнее о заказе |
|
| FQP19N20 | MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3 | 1394 Подробнее о заказе |
|
| IXFH69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD | 944 Подробнее о заказе |
|
| RE1C002ZPTL | MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F | 828 Подробнее о заказе |
|
| DMN1032UCB4-7 | MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 | 2147484592 Подробнее о заказе |
|
| IRF640NSTRLPBF | HEXFET POWER MOSFET | 845 Подробнее о заказе |
|
| AOB266L | MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263 | 955 Подробнее о заказе |
| В наличии | 18031 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.90000 | $0.9 |
| 3000 | $0.90000 | $2700 |
| 6000 | $0.86667 | $5200.02 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.