Только для справки
| номер части | RE1C002ZPTL |
| LIXINC Part # | RE1C002ZPTL |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | RE1C002ZPTL След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | RE1C002ZPTL |
| Бренд: | ROHM Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 200mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1V @ 100µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 1.4 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±10V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 115 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 150mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | EMT3F (SOT-416FL) |
| упаковка / чехол: | SC-89, SOT-490 |
| DMN1032UCB4-7 | MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 | 2147484576 Подробнее о заказе |
|
| IRF640NSTRLPBF | HEXFET POWER MOSFET | 954 Подробнее о заказе |
|
| AOB266L | MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263 | 900 Подробнее о заказе |
|
| APT20M20JFLL | MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP | 802 Подробнее о заказе |
|
| HAT2173N-EL-E | MOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAK | 25837 Подробнее о заказе |
|
| BUK9520-100A,127 | PFET, 63A I(D), 100V, 0.022OHM, | 3868 Подробнее о заказе |
|
| SI7317DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8 | 7280 Подробнее о заказе |
|
| IXTH1N200P3 | MOSFET N-CH 2000V 1A TO247 | 29496 Подробнее о заказе |
|
| SKI03063 | MOSFET N-CH 30V 40A TO263 | 812 Подробнее о заказе |
|
| AOD7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A TO252 | 825 Подробнее о заказе |
|
| SI4848DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO | 2627 Подробнее о заказе |
|
| DMN90H8D5HCT | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB | 992 Подробнее о заказе |
|
| AOD480 | MOSFET N-CH 30V 25A TO252 | 907 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10893 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.37000 | $0.37 |
| 3000 | $0.06554 | $196.62 |
| 6000 | $0.05899 | $353.94 |
| 15000 | $0.05243 | $786.45 |
| 30000 | $0.04916 | $1474.8 |
| 75000 | $0.04588 | $3441 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.