Только для справки
номер части | DMN1032UCB4-7 |
LIXINC Part # | DMN1032UCB4-7 |
Производитель | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | DMN1032UCB4-7 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jun 02 - Jun 06 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | DMN1032UCB4-7 |
Бренд: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
ряд: | - |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 12 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4.8A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 1.8V, 4.5V |
rds on (max) @ id, vgs: | 26mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 1.2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 4.5 nC @ 4.5 V |
ВГС (макс.): | ±8V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 450 pF @ 6 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 900mW (Ta) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | U-WLB1010-4 |
упаковка / чехол: | 4-UFBGA, WLBGA |
IRF640NSTRLPBF | HEXFET POWER MOSFET | 942 Подробнее о заказе |
|
AOB266L | MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263 | 955 Подробнее о заказе |
|
APT20M20JFLL | MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP | 918 Подробнее о заказе |
|
HAT2173N-EL-E | MOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAK | 25787 Подробнее о заказе |
|
BUK9520-100A,127 | PFET, 63A I(D), 100V, 0.022OHM, | 3952 Подробнее о заказе |
|
SI7317DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8 | 7283 Подробнее о заказе |
|
IXTH1N200P3 | MOSFET N-CH 2000V 1A TO247 | 29479 Подробнее о заказе |
|
SKI03063 | MOSFET N-CH 30V 40A TO263 | 937 Подробнее о заказе |
|
AOD7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A TO252 | 983 Подробнее о заказе |
|
SI4848DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO | 2470 Подробнее о заказе |
|
DMN90H8D5HCT | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB | 989 Подробнее о заказе |
|
AOD480 | MOSFET N-CH 30V 25A TO252 | 928 Подробнее о заказе |
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263 | 1787 Подробнее о заказе |
В наличии | 2147484512 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.64000 | $0.64 |
3000 | $0.26383 | $791.49 |
6000 | $0.24859 | $1491.54 |
15000 | $0.23336 | $3500.4 |
30000 | $0.22270 | $6681 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.