IPL60R085P7AUMA1

IPL60R085P7AUMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPL60R085P7AUMA1
LIXINC Part # IPL60R085P7AUMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 39A 4VSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPL60R085P7AUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPL60R085P7AUMA1 Технические характеристики

номер части:IPL60R085P7AUMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:39A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:85mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 590µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2180 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):154W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-VSON-4
упаковка / чехол:4-PowerTSFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SCTWA90N65G2V-4 SCTWA90N65G2V-4 TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247 1027

Подробнее о заказе

IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF MOSFET N-CH 30V 55A DPAK 875

Подробнее о заказе

IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK 1522

Подробнее о заказе

IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 2245

Подробнее о заказе

IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 17A TO252 7596

Подробнее о заказе

DMN61D8L-13 DMN61D8L-13 MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 862

Подробнее о заказе

BSZ0502NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON 5838

Подробнее о заказе

DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252 828

Подробнее о заказе

2SJ326-AZ 2SJ326-AZ P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET 917

Подробнее о заказе

AUIRF3805S-7P AUIRF3805S-7P AUTOMOTIVE N CHANNEL 1869

Подробнее о заказе

SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB 2044

Подробнее о заказе

IXTY1N120P IXTY1N120P MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 3201

Подробнее о заказе

SI3401A-TP SI3401A-TP MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23 16830

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10938 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$5.92000$5.92
3000$3.68550$11056.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top