IPD80R280P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD80R280P7ATMA1 | IPD80R280P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD80R280P7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD80R280P7ATMA1
LIXINC Part #	IPD80R280P7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD80R280P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD80R280P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD80R280P7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	17A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	280mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 360µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 500 V
Фет-функция:	Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):	101W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-252
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN61D8L-13	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23	891 Подробнее о заказе
BSZ0502NSIATMA1	MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON	5964 Подробнее о заказе
DMN3010LK3-13	MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252	870 Подробнее о заказе
2SJ326-AZ	P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET	904 Подробнее о заказе
AUIRF3805S-7P	AUTOMOTIVE N CHANNEL	1713 Подробнее о заказе
SIHP068N60EF-GE3	MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB	2006 Подробнее о заказе
IXTY1N120P	MOSFET N-CH 1200V 1A TO252	3235 Подробнее о заказе
SI3401A-TP	MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23	16942 Подробнее о заказе
IXTP90N055T2	MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB	895 Подробнее о заказе
CPH6347-TL-W	MOSFET P-CH 20V 6A 6CPH	6639 Подробнее о заказе
SQS850EN-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8	4717 Подробнее о заказе
DMN1260UFA-7B	MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN	2147484473 Подробнее о заказе
SIHP28N65EF-GE3	MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB	1923 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015