Только для справки
номер части | IRF5801TRPBF |
LIXINC Part # | IRF5801TRPBF |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IRF5801TRPBF След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jun 02 - Jun 06 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IRF5801TRPBF |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | HEXFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 600mA (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2.2Ohm @ 360mA, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 5.5V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 3.9 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 88 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 2W (Ta) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | Micro6™(TSOP-6) |
упаковка / чехол: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
IPD80R280P7ATMA1 | MOSFET N-CH 800V 17A TO252 | 7479 Подробнее о заказе |
|
DMN61D8L-13 | MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 | 810 Подробнее о заказе |
|
BSZ0502NSIATMA1 | MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON | 5871 Подробнее о заказе |
|
DMN3010LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252 | 935 Подробнее о заказе |
|
2SJ326-AZ | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 858 Подробнее о заказе |
|
AUIRF3805S-7P | AUTOMOTIVE N CHANNEL | 1705 Подробнее о заказе |
|
SIHP068N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB | 1996 Подробнее о заказе |
|
IXTY1N120P | MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 | 3172 Подробнее о заказе |
|
SI3401A-TP | MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23 | 16950 Подробнее о заказе |
|
IXTP90N055T2 | MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB | 921 Подробнее о заказе |
|
CPH6347-TL-W | MOSFET P-CH 20V 6A 6CPH | 6472 Подробнее о заказе |
|
SQS850EN-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8 | 4766 Подробнее о заказе |
|
DMN1260UFA-7B | MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN | 2147484475 Подробнее о заказе |
В наличии | 12294 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.54000 | $0.54 |
3000 | $0.22917 | $687.51 |
6000 | $0.21588 | $1295.28 |
15000 | $0.20257 | $3038.55 |
30000 | $0.19326 | $5797.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.