Только для справки
| номер части | FQD1N60TM |
| LIXINC Part # | FQD1N60TM |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQD1N60TM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQD1N60TM |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 11.5Ohm @ 500mA, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 6 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 150 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D-Pak |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| LND150N3-G-P003 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | 3028 Подробнее о заказе |
|
| PMT29EN,115 | MOSFET N-CH 30V 6A SOT223 | 952 Подробнее о заказе |
|
| SSM3J325F,LF | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | 1191 Подробнее о заказе |
|
| IRFBG30PBF-BE3 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB | 1995 Подробнее о заказе |
|
| BSZ058N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON | 3606 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLS3034-7P | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 6818 Подробнее о заказе |
|
| FQB16N15TM | MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK | 1816 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R199CP | IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN | 939 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R299CPXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31 | 881 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS6H800NWFT1G | MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN | 811 Подробнее о заказе |
|
| PMT200EPEX | MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223 | 911 Подробнее о заказе |
|
| FDH047AN08A0 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 | 9080 Подробнее о заказе |
|
| STD7LN80K5 | MOSFET N-CH 800V 5A DPAK | 918 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10975 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.31000 | $0.31 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.