FGB30N6S2DT | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT

Увеличить

Только для справки

номер части	FGB30N6S2DT
LIXINC Part #	FGB30N6S2DT
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGB30N6S2DT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGB30N6S2DT Технические характеристики

номер части:	FGB30N6S2DT
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	45 A
ток - коллектор импульсный (icm):	108 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 12A
мощность - макс.:	167 W
переключение энергии:	55µJ (on), 100µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	23 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	6ns/40ns
условия испытаний:	390V, 12A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	46 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015