IRGPS60B120KDP | IR (Infineon Technologies) IRGPS60B120KDP | IRGPS60B120KDP Inventory, Best Pricing

IRGPS60B120KDP

Увеличить

Только для справки

номер части	IRGPS60B120KDP
LIXINC Part #	IRGPS60B120KDP
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 105A 595W SUPER247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRGPS60B120KDP След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRGPS60B120KDP Технические характеристики

номер части:	IRGPS60B120KDP
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	105 A
ток - коллектор импульсный (icm):	240 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.75V @ 15V, 60A
мощность - макс.:	595 W
переключение энергии:	3.21mJ (on), 4.78mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	340 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	600V, 15A, 4.7Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	180 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-274AA
пакет устройств поставщика:	SUPER-247™ (TO-274AA)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015