IRG4BC30FD-S | IR (Infineon Technologies) IRG4BC30FD-S | IRG4BC30FD-S Inventory, Best Pricing

IRG4BC30FD-S

Увеличить

Только для справки

номер части	IRG4BC30FD-S
LIXINC Part #	IRG4BC30FD-S
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 31A 100W D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRG4BC30FD-S След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRG4BC30FD-S Технические характеристики

номер части:	IRG4BC30FD-S
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	31 A
ток - коллектор импульсный (icm):	120 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.8V @ 15V, 17A
мощность - макс.:	100 W
переключение энергии:	630µJ (on), 1.39mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	51 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	42ns/230ns
условия испытаний:	480V, 17A, 23Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	42 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	D2PAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015