GA35XCP12-247 | GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247 | GA35XCP12-247 Inventory, Best Pricing

GA35XCP12-247

Увеличить

Только для справки

номер части	GA35XCP12-247
LIXINC Part #	GA35XCP12-247
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V SOT247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	GA35XCP12-247 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

GA35XCP12-247 Технические характеристики

номер части:	GA35XCP12-247
Бренд:	GeneSiC Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	GeneSiC Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	PT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
ток - коллектор импульсный (icm):	35 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3V @ 15V, 35A
мощность - макс.:	-
переключение энергии:	2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	50 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	800V, 35A, 22Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	36 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015