RJP60V0DPM-00#T1 | Renesas Electronics America RJP60V0DPM-00#T1 | RJP60V0DPM-00#T1 Inventory, Best Pricing

RJP60V0DPM-00#T1

Увеличить

Только для справки

номер части	RJP60V0DPM-00#T1
LIXINC Part #	RJP60V0DPM-00#T1
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJP60V0DPM-00#T1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJP60V0DPM-00#T1 Технические характеристики

номер части:	RJP60V0DPM-00#T1
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	45 A
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 22A
мощность - макс.:	40 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	75 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	45ns/100ns
условия испытаний:	300V, 22A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3PFM, SC-93-3
пакет устройств поставщика:	TO-3PFM

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015