STGB35N35LZ-1 | STMicroelectronics STGB35N35LZ-1 | STGB35N35LZ-1 Inventory, Best Pricing

STGB35N35LZ-1

Увеличить

Только для справки

номер части	STGB35N35LZ-1
LIXINC Part #	STGB35N35LZ-1
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 345V 40A 176W I2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGB35N35LZ-1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGB35N35LZ-1 Технические характеристики

номер части:	STGB35N35LZ-1
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	PowerMESH™
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	345 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	40 A
ток - коллектор импульсный (icm):	80 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.7V @ 4.5V, 15A
мощность - макс.:	176 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Logic
заряд ворот:	49 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	1.1µs/26.5µs
условия испытаний:	300V, 15A, 5V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
пакет устройств поставщика:	I2PAK (TO-262)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015