F475R07W2H3B51BOMA1 | Rochester Electronics F475R07W2H3B51BOMA1 | F475R07W2H3B51BOMA1 Inventory, Best Pricing

F475R07W2H3B51BOMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	F475R07W2H3B51BOMA1
LIXINC Part #	F475R07W2H3B51BOMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT, 75A, 650V, N-CHANNEL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	F475R07W2H3B51BOMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

F475R07W2H3B51BOMA1 Технические характеристики

номер части:	F475R07W2H3B51BOMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
конфигурация:	Full Bridge Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	75 A
мощность - макс.:	520 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.55V @ 15V, 37.5A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1 mA
входная емкость (cis) @ vce:	4.7 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$42.96000	$42.96

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015