NXH100B120H3Q0PTG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH100B120H3Q0PTG | NXH100B120H3Q0PTG Inventory, Best Pricing

NXH100B120H3Q0PTG

Увеличить

Только для справки

номер части	NXH100B120H3Q0PTG
LIXINC Part #	NXH100B120H3Q0PTG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NXH100B120H3Q0PTG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NXH100B120H3Q0PTG Технические характеристики

номер части:	NXH100B120H3Q0PTG
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	2 Independent
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
мощность - макс.:	186 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
ток - отсечка коллектора (макс.):	200 µA
входная емкость (cis) @ vce:	9.075 nF @ 20 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	22-PIM (55x32.5)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$55.02000	$55.02

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015